4.2.8 厂区内或附近必须设置四氯化硅等还原反应副产物综合利用或处理设施，四氯化硅等还原反应副产物应综合利用，并应做到无害化处理。 6.1.3 电源电压选择及供电系统应符合下列规定： 1 供电电压应根据多晶硅生产规模、当地公共电网现状及发展规划确定。 2 变、配电所位置应根据负荷的容量及总图布置情况靠近负荷中心，且总变电所宜靠近还原车间。 3 装置一级的配电电压宜采用10kV，低压配电电压应采用220V/380V。总变电所归用户管理时，还原变压器宜由二级10kV配电站或总变电所直供。 4 供配电系统宜采取滤波等方式抑制高次谐波，并宜符合现行国家标准《电能质量 公用电网谐波》GB/T 14549的规定。 5 还原调功设备宜采用多种电压等级、叠层控制原理。 6 供配电系统应减少无功损耗，宜采用高压与低压补偿相结合及集中补偿与就地补偿相结合的无功补偿方式。企业计费处最大负荷时的功率因数不应低于0.90。 7 低压系统接地形式宜采用TN-S或TN-C-S系统。 8 消防负荷供配电设计应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016和《石油化工企业设计防火规范》GB 50160的规定执行。 9 应急电源与正常电源之间必须采取防止并列运行的措施。 10 还原炉整流变压器和调功电气设备应为还原炉的专用成套设备，不属于车间变、配电所的设备，可布置在还原车间的非防爆区域内。 11 还原炉成套调压变压器宜为环氧树脂绝缘的干式变压器。 6.1.6 防雷及接地系统可由电气系统工作接地、设备接地、静电接地、防雷保护接地组成，应符合下列规定： 1 变电所内的配电变压器低压侧380/220V的中性点应直接接地，接地电阻不应超过4 Ω。 2 电气设备外露可导电部分和电缆铠装层均应可靠接地，电缆桥架应可靠接地，工艺设备应可靠接地。 3 对爆炸、火灾危险场所内可能产生静电危险的设备和管道应采取静电接地措施，每组专设的静电接地体的接地电阻值应小于100 Ω。 4 建（构）筑物应按现行国家标准《建筑物防雷设计规范》GB 50057的规定采取防雷保护措施，防雷接地装置的接地电阻应符合现行国家标准《建筑物防雷设计规范》GB 50057的有关规定。 5 变压器中性点接地、防静电接地、设备接地、防雷接地等共用接地装置时，总接地电阻不应大于4Ω；工作接地、保护接地、防雷接地与电子信息系统接地共用接地方式时，接地电阻不应大于1Ω。 6.2.8 可燃、有毒气体检测仪表设计及选型应符合现行国家标准《石油化工可燃气体和有毒气体检测报警设计规范》GB 50493的有关规定，并应符合下列规定： 1 对于氯硅烷的泄漏检测宜选用氯化氢有毒气体检测器； 2 可燃气体、有毒气体检测报警系统宜独立设置； 3 报警信号必须发送至现场报警器和有人值守的控制室或现场操作室的指示报警设备，并必须进行声光报警； 4 便携式可燃气体或有毒气体检测报警器的配备，应根据生产装置的场地条件、工艺介质的易燃易爆及毒性和操作人员数量等确定。 8.1.1 建（构）筑物的火灾危险性分类、耐火等级不应低于表8.1.1的规定。 8.2.1 还原厂房及辅助设施的布置应符合下列规定： 1 还原厂房及辅助设施宜采用钢筋混凝土结构或钢结构，耐火等级不应低于二级。 2 还原炉室为甲类火险且有防爆要求时，厂房内不应设置办公室、休息室。其他辅助房及卫生间等需要布置时，必须布置在还原炉室端墙贴邻一侧，并应采用耐火极限不低于3.0h的不燃体防爆防护墙与还原炉室分隔。当防爆防护墙兼作防火墙时，耐火极限应为4.0h。 3 变压器室、调功器室、高压启动室、炉体清洗检修间、炉体冷却水系统等辅助房间，应与还原炉室布置在不同的隔间或防火分区内，并必须用防火墙、防爆防护墙、防火楼板分隔，平面布置应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定；还原炉室墙外侧有汇流排等易燃易爆设施时，应设置具有防爆防护功能的半高隔墙。 4 人员进入还原厂房宜经过净化室。人员净化室布置在厂房山墙一侧时，应用防爆防护墙与还原炉室分隔。 5 还原厂房应采用封闭楼梯间，直通还原炉室的封闭楼梯间应设置具有防爆防护功能的前室。 6 还原厂房的楼梯间布置及疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定。疏散梯设为室外楼梯时，应按现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定执行。 7 还原炉室应按检修需要布置设备检修平台和钢梯，钢梯净宽不应小于700mm，坡度不宜大于45°。 8 还原厂房的管道夹层应采用敞开或半敞开式布置，顶棚应采取防止气体积聚的措施，设置吊顶时，吊顶应平整、密封、不留死角，多雨地区应采取挡雨措施。 8.2.5 辅助用房设计应符合下列规定： 1 变电所设计应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016和《火力发电厂与变电站设计防火规范》GB 50229的有关规定。 2 全厂性的中央控制室宜独立设置，与其他建（构）筑物的防火间距应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定。 3 中央控制室同其他建筑合建时应划分成独立的防火分区。当合建的建筑位于爆炸危险区内时，应采取防爆防护措施，建筑的安全出口不应直接面对有爆炸危险的装置。 4 压缩空气站、制氮站设计应符合现行行业标准《压缩机厂房建筑设计规定》HG/T 20673的有关规定。 5 制氢站、循环水站、工艺废料废液处理、污水处理站、脱盐水站、锅炉房、综合仓库、综合维修厂房、硅粉库、化学品库、泡沫站等辅助用房的防火设计，应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定。 8.3.1 还原、整理厂房的防火、防爆设计应符合下列规定： 1 厂房防火分区及疏散口布置及疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定。 2 还原炉室应采用泄爆墙及带有通风设施的泄压屋面，在外墙设置泄压面时应对室外贴邻的汇流排等易燃易爆设施设置保护性的防爆防护半高隔墙。外墙与屋面泄压面积应符合下列规定： 1）泄压面积的计算应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定。 2）泄压设施应采用易于脱落的轻质屋盖、易于泄压的门和窗及轻质墙体作为泄压面积。作为泄压面积的轻质墙体及轻质屋面板自重不得超过60kg/m，材料的燃烧性能应为A级。 3 还原炉室防爆防护墙上开的门应为防爆门，防爆门的耐火极限不应低于0.90h，当防爆墙兼作防火墙时，防爆门的耐火极限不应低于1.20h，通向疏散通道和疏散楼梯的防爆门开启方向应朝向疏散方向。 4 厂房洁净区的防火设计应符合现行国家标准《洁净厂房设计规范》GB 50073的有关规定。 5 还原炉室外墙和屋面泄压面积的设置宜靠近爆炸危险源。 8.3.2 制氢站防火、防爆设计应符合下列规定： 1 制氢站防火分区及疏散口布置及疏散距离应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定； 2 制氢装置房间与其他辅助房间应用防爆防护墙分隔，制氢装置房间的屋面或墙面应设置泄压面积； 3 泄压面积计算和设置要求应符合现行国家标准《建筑设计防火规范》GB 50016的有关规定； 4 建筑结构设计应按现行国家标准《氢气站设计规范》GB 50177的有关规定执行。 8.6.4 多晶硅厂房设计应说明结构用途，在设计使用年限内未经技术鉴定或设计许可，不得改变结构用途和使用环境。 9.1.3 可能发生物料泄漏的装置区及储罐区必须设置紧急淋浴器和洗眼器。 9.3.4 高浓度含氟废液必须采取预处理措施。 9.4.3 硅芯拉制炉、单晶炉和还原炉电极的循环水系统必须采取相应的保安措施。 9.5.2 多晶硅工厂装置区、储罐区必须设置独立的稳高压消防给水系统，其压力应为0.5MPa～1.2MPa。其他场所应设置低压消防给水系统。 10.1.3 严寒地区还原车间的管道夹层采用热风采暖时，不应回风。 10.3.4 空调系统新风量应取下列两项中的较大值： 1 补偿室内排风量和保持室内正压值所需新风量之和； 2 保证供给室内每人每小时的新风量，洁净区不应小于40m，非洁净区不应小于30m。 10.3.6 洁净室与周围区域的压差应符合下列规定： 1 不同等级的洁净区之间的压差不应小于5Pa； 2 洁净区与非洁净区之间的压差不应小于5Pa； 3 洁净区与室外的压差不应小于10Pa。 10.3.9 还原车间应独立设置直流空调送风系统，不应回风。 11.1.6 废渣、废液应根据不同情况分别处理，含氯硅烷的废液和含镍的废硅粉必须无害化处理，污水处理产生的中性渣应外卖、渣场堆存或深埋处理。 11.2.3 三氯氢硅合成、还原、四氯化硅氢化、还原尾气干法回收、制氢站、氯硅烷罐区等装置区内，必须根据物料的危害特性和工况条件设置仪表检测报警、自动连锁保护系统、消防应急联动系统和紧急停车装置。 12.2.5 多晶硅工厂必须同步设计余热利用系统；还原炉和氢化反应的余热回收应用于提纯精馏塔再沸器的加热，且余热利用系统不应影响多晶硅正常生产，不应提高多晶硅能耗或降低产量。